本文要說的話題與IGBT有關，如下圖：
在文章《一文認識變頻器的IGBT(逆變模塊)》中提過IGBT是晶體管與mos管的結合體，晶體管負責高電壓與大電流，而mos管控制晶體管的開通與關斷，看上面這張圖，再形象不過！
IGBT的導通與關斷是由G極和E極之間的電壓UGE決定，當UGE大于開啟電壓Uo時，mos管內形成導電溝道，其漏源電流作為晶體管的基極電流，IGBT導通。當G極與E極之間不加信號或施加反向電壓時，mos內的導電溝道消失，晶體管基極電流被切斷，IGBT即關斷。
透過其工作原理不難看出，當IGBT出現炸管時，其驅動電路勢必也會受到波及，所以，再對IGBT更換完畢以后，勢必要對驅動電路進行檢測，若強行上電試機的話，很有可能再次炸掉。
IGBT驅動電路大題如下：
當輸入電壓UI為“+”時，VT1導通，VT2截止，電流從正向驅動電源通過柵極電阻RG流向柵極，RG電阻通常為100左右，此時，UGE電壓約為+15V，IGBT飽和導通。
當輸入電壓UI為“-”時，VT1截止，VT2導通，電流從IGBT的柵極通過柵極電阻RG流向反向偏置電源，柵極上得到負的偏置電壓-UGE(-5～-10V)，此時，IGBT將截止。
在IGBT驅動電路中，比較流行的還是帶走光耦隔離的驅動電路，因為，它能起到強電隔離的作用，尤其是在IGBT炸管時，不至于導致前段電路受到影響。如下圖：
當有信號UI輸入時，光耦晶體管導通，A點為低電位，晶體管VT1沒有基極電流而截止，B點為高電位，晶體管VT3截止而VT2導通，IGBT的柵極通過VT2而得到正向驅動電壓，IGBT將飽和導通。
當沒有輸入信號UI輸入時，光耦晶體管截止，A點為高電位，晶體管VT1得到基極電流而導通，B點為低電位，晶體管VT2截止而VT3導通，IGBT的柵極G通過VT3而得到反向偏置電壓，IGBT截止。
通過以上，不難看出，要判斷一路IGBT驅動是否正常，要滿足兩個條件，一是信號電壓UI的有無，而這個UI是由CPU發出的，可模擬獲取。再者是IGBT的正反向電壓是否可以正常獲取，可通過示波器獲取。以上步驟，均為模擬獲取，在變頻器上電前完成。
前段時間，就有一臺變頻器試機缺相，經歷過炸機，檢測發現，該路驅動光耦直接沒電，查來查去最終到了開關電源上。
不同廠家的變頻器IGBT驅動電路不同，但實現原理基本是相通的，希望能提供些許借鑒。
作者：電氣星辰
